TM2132是一個高壓、高速的MOSFET、IGBT驅動器。它有(yǒu)三個半橋式栅極驅動，高壓側的VS引腳采用(yòng)浮動電(diàn)壓設計，可(kě)以适應浮動電(diàn)壓高達200V的半橋電(diàn)路，上下橋互補設計，允許高端采用(yòng)N溝道的MOSFET、IGBT；TM2132的邏輯保護功能(néng)，可(kě)以防止上下橋直通，提高整個電(diàn)路的可(kě)靠性。
TM2132
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産(chǎn)品特性
• VS引腳允許浮動的電(diàn)壓高達+200V，适用(yòng)于自舉升壓操作(zuò)
• 栅極驅動器的電(diàn)壓範圍寬（10V~17V)
• VCC具(jù)備欠壓鎖定功能(néng)，在欠壓時關斷輸出
• 輸入兼容3.3V、5V CMOS邏輯電(diàn)平
• 所有(yǒu)輸入引腳都有(yǒu)CMOS施密特觸發器，提高抗噪聲能(néng)力
• 高端輸出相位與（A、B、C）HIN同相
• 低端輸出相位與（A、B、C）HIN反相
• 内置邏輯保護
• 内置死區(qū)時間
• 拉電(diàn)流能(néng)力為(wèi)130mA
• 灌電(diàn)流能(néng)力為(wèi)270mA
• 封裝(zhuāng)形式：SSOP20、QSOP20
• 栅極驅動器的電(diàn)壓範圍寬（10V~17V)
• VCC具(jù)備欠壓鎖定功能(néng)，在欠壓時關斷輸出
• 輸入兼容3.3V、5V CMOS邏輯電(diàn)平
• 所有(yǒu)輸入引腳都有(yǒu)CMOS施密特觸發器，提高抗噪聲能(néng)力
• 高端輸出相位與（A、B、C）HIN同相
• 低端輸出相位與（A、B、C）HIN反相
• 内置邏輯保護
• 内置死區(qū)時間
• 拉電(diàn)流能(néng)力為(wèi)130mA
• 灌電(diàn)流能(néng)力為(wèi)270mA
• 封裝(zhuāng)形式：SSOP20、QSOP20
應用(yòng)說明
主要應用(yòng)電(diàn)動車(chē)市場。
産(chǎn)品封裝(zhuāng)
