專門用(yòng)于高電(diàn)壓、快速的功率 MOS 和 IGBT 驅動器,具(jù)有(yǒu)高端和低端兩個通道。邏輯輸入端可(kě) 以匹配标準的 CMOS 和 LSTTL 輸出端口。高端浮地通道可(kě)以直接驅動工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓達到 550V 的 N 型 MOS 管和 IGBT。非常适用(yòng)于LLC半橋，傳統半橋等電(diàn)路。
方案概述
應用(yòng)框圖
