TM2103S
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TM2103S 是一個高電(diàn)壓、快速的功率 MOS 和 IGBT 驅動器,具(jù)有(yǒu)高端和低端兩個通道。邏輯輸入端可(kě)以匹配标準的 CMOS 和 LSTTL 輸出端口。高端浮地通道可(kě)以直接驅動工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓達到 600V 的 N 型 MOS 管和IGBT。本産(chǎn)品性能(néng)優良，質(zhì)量可(kě)靠。
産(chǎn)品特性
• VS引腳允許浮動的電(diàn)壓高達+660V，适用(yòng)于自舉升壓操作(zuò)
• 栅極驅動器的電(diàn)壓範圍寬（10V~17V)
• 欠壓鎖定功能(néng)
• 輸入兼容3.3V、5V CMOS邏輯電(diàn)平
• 所有(yǒu)輸入引腳都有(yǒu)CMOS施密特觸發器，提高抗噪聲能(néng)力
• 高端輸出相位與HIN同相
• 低端輸出相位與LIN反相
• 内置邏輯保護
• 内置死區(qū)時間
• 拉電(diàn)流能(néng)力為(wèi)130mA
• 灌電(diàn)流能(néng)力為(wèi)270mA
• 栅極驅動器的電(diàn)壓範圍寬（10V~17V)
• 欠壓鎖定功能(néng)
• 輸入兼容3.3V、5V CMOS邏輯電(diàn)平
• 所有(yǒu)輸入引腳都有(yǒu)CMOS施密特觸發器，提高抗噪聲能(néng)力
• 高端輸出相位與HIN同相
• 低端輸出相位與LIN反相
• 内置邏輯保護
• 内置死區(qū)時間
• 拉電(diàn)流能(néng)力為(wèi)130mA
• 灌電(diàn)流能(néng)力為(wèi)270mA
應用(yòng)說明
主要應用(yòng)于步機電(diàn)機。
産(chǎn)品封裝(zhuāng)
